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        1. KRI 考夫曼離子源真空鍍膜應用

          1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
          離子源     霍爾離子源                                           射頻離子源                       考夫曼離子源                              自動控制器

          KRI 離子源應用

          作為一種新興的材料加工技術, 美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術性能, 協助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國 KRI 考夫曼離子源主要應用于真空環境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.

          KRI 射頻離子源典型應用 LED-DBR 輔助鍍膜

          離子源典型應用: 射頻離子源 RFICP 325 安裝在 1650 mm 蒸鍍機中, 實現離子輔助鍍膜 IBAD 及預清潔 Pre-clean, 完成 LED-DBR 鍍膜生產
          右圖: 在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試, 樣品無崩邊

          射頻離子源

          KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻

          離子源典型應用: 安裝在離子蝕刻機中的 KRI 射頻離子源, 對應用于半導體后端的6寸晶圓進行刻蝕
          右圖: 射頻離子源 RFICP 安裝于腔內

          射頻離子源

          KRI 射頻離子源應用于塑膠光學鏡頭鍍膜

          離子源典型應用: 應用于智能型手機鏡頭, 車用鏡頭, VR 虛擬現實鏡頭的塑膠光學鏡頭鍍膜, 通過使用射頻離子源 RFICP 325 成功鍍膜于塑膠基板并且通過 1,500 小時高溫高濕嚴苛環境測試

          塑膠光學鏡頭鍍膜

          KRI 霍爾離子源典型應用 IBE 離子刻蝕

          離子源典型應用: 安裝在小型離子蝕刻機中的 KRI 霍爾離子源 EH 400 HC, 對 2英寸硅芯片蝕刻
          右圖: 對材料 Fe, Se, Te 刻蝕

          離子蝕刻

          KRI 霍爾離子源典型應用 IBAD 輔助鍍膜

          離子源典型應用: 直徑 2.2m 蒸鍍機, 霍爾離子源用于蒸鍍直徑 1.5m 天文望遠鏡鏡片全反射膜, 僅需安裝1臺 EH 3000 HC 霍爾離子源, 即可完成鍍膜, 直接降低企業成本!

          霍爾離子源


           

          KRI 霍爾離子源典型應用 PC 預清潔后,IBAD 輔助鍍膜

          上海伯東離子源典型應用: 霍爾離子源應用于光學鍍膜機加裝, 鍍膜腔體約 2 m3, 加裝霍爾源 EH 4200, 實現預清潔 PC 和輔助鍍膜 IBAD
          右圖: 使用專業測膜記號筆, 可以明顯看出加裝 KRI 離子源前后有很大的不同

          霍爾離子源輔助鍍膜

           

          KRI 考夫曼離子源典型應用 IBF 離子束拋光工藝

          上海伯東離子源典型應用: 考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面
          右圖: 離子束拋光后平坦度影像呈現圖

          離子拋光

           

          電子束鍍膜機加裝霍爾離子源

          上海伯東離子源典型應用: 霍爾離子源 EH 2000 加裝于 Φ1.2m 電子束鍍膜機用于望遠鏡用金屬零部件 IBAD 輔助鍍膜

          KRI 霍爾離子源

           

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