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        1. 電子束蒸鍍設備

          上海伯東代理電子束蒸鍍設備, 真空鍍膜機專精于金屬及氧化物薄膜的制備, 可用于超導量子實驗室制備超導結 ( 量子比特和約瑟夫森結 ) 和量子器件, 可以制備大面積, 高穩定性和可重復性超導結. 提供各種類型的 MBE, E-beam, Sputter, IBE. 提供客制化設備, 擅長各種類型系統的集成.

          電子束蒸發鍍膜機 E-Beam

           EBS-150
           真空度 5E-8 torr, 最大 8inch 樣品

          電子束蒸發

           EBS-150 UHV
           真空度 5E-10 torr, 最大 6inch 樣品

           EBS-300 Dual
           真空度 5E-7 torr, 雙 E-gun

          磁控濺射鍍膜機 Sputter

          Sputter 16
          真空度 2E-10 torr

          磁控濺射鍍膜機

          Sputter 24
          真空度 5E-10 torr

          離子刻蝕 IBE

           IBE
           真空度 5E-10 torr, 離子源 RFICP 100

          離子蝕刻 IBE

           IBE
           真空度 5E-10 torr , 離子源 KDC 75

          分子束外延 MBE-10

          分子束外延設備在長二維材料以及拓撲材料, 氧化物方面都有不錯的性能. 如: III-V 族, II-VI 族, Si / SiGe, 金屬與金屬氧化物 (因為我們有獨步全球的激光加熱器, 可到 2英寸), 以及 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等.

          MBE-10

          分子束外延 MBE-8

          MBE-8 可以成長三寸以下的樣品, 樣品溫度可以加到 900 攝氏度, 如果是兩寸以下的樣品可以到 1100 攝氏度. 可以裝置 8個束源爐, 最大容量 40cc

          分子束外延 MBE

          脈沖激光沉積 PLD-18L

          脈沖激光沉積設備 PLD-18L, 它可以與濺射槍, 積液池, 高壓流變, 激光束控制相結合,可以放置 8×1 英寸的樣品或 4×2 英寸的樣品,

          脈沖激光沉積 PLD-18L

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