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        1. 射頻離子源 RFICP 100
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          射頻離子源 RFICP 100

          KRI 射頻離子源 RFICP 100
          上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以達到 400 mA.

          KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數

          型號

          RFICP 100

          Discharge 陽極

          RF 射頻

          離子束流

          >350 mA, 可以達到 400 mA

          離子動能

          100-1200 V

          柵極直徑

          10 cm Φ

          離子束

          聚焦, 平行, 散射

          流量

          5-30 sccm

          通氣

          Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

          典型壓力

          < 0.5m Torr

          長度

          23.5 cm

          直徑

          19.1 cm

          中和器

          LFN 2000

          KRI 射頻離子源 RFICP 100 應用領域
          預清洗
          表面改性
          輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
          濺鍍和蒸發鍍膜 PC
          離子濺射沉積和多層結構 IBSD
          離子蝕刻 IBE

          客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統配置如下
          美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
          美國 HVA 真空閘閥
          德國 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
          射頻離子源

          1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

          若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
          上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
          T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
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          M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
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