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        1. KRI 考夫曼離子源 KDC 75
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          KRI 考夫曼離子源 KDC 75

          KRI 考夫曼離子源 KDC 75
          上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
           

          KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數

          型號

          KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出)

          供電

          DC magnetic confinement

           - 陰極燈絲

          2

           - 陽極電壓

          0-100V DC

          電子束

          OptiBeam™

           - 柵極

          專用, 自對準

           -柵極直徑

          7.5 cm

          中和器

          燈絲

          電源控制

          KSC 1212 或 KSC 1202

          配置

          -

           - 陰極中和器

          Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

           - 安裝

          移動或快速法蘭

           - 高度

          7.9'

           - 直徑

          5.5'

           - 離子束

          聚焦
          平行
          散設

           -加工材料

          金屬
          電介質
          半導體

           -工藝氣體

          惰性
          活性
          混合

           -安裝距離

          6-24”

           - 自動控制

          控制4種氣體

          * 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架

          KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
          濺鍍和蒸發鍍膜 PC
          輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
          表面改性, 激活 SM
          離子濺射沉積和多層結構 IBSD
          離子蝕刻 IBE


          客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統配置
          美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75
          考夫曼離子源 KDC 75

           

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