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        1. KRI 考夫曼離子源 KDC 40
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          KRI 考夫曼離子源 KDC 40

          KRI 考夫曼離子源 KDC 40
          上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

          KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數

          型號

          KDC 40

          供電

          DC magnetic confinement

           - 陰極燈絲

          1

           - 陽極電壓

          0-100V DC

          電子束

          OptiBeam™

           - 柵極

          專用, 自對準

           -柵極直徑

          4 cm

          中和器

          燈絲

          電源控制

          KSC 1202

          配置

          -

           - 陰極中和器

          Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

           - 架構

          移動或快速法蘭

           - 高度

          6.75'

           - 直徑

          3.5'

           - 離子束

          集中
          平行
          散設

           -加工材料

          金屬
          電介質
          半導體

           -工藝氣體

          惰性
          活性
          混合

           -安裝距離

          6-18”

           - 自動控制

          控制4種氣體

          * 可選: 可調角度的支架


          KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應用領域
          濺鍍和蒸發鍍膜 PC
          輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
          表面改性, 激活 SM
          離子濺射沉積和多層結構 IBSD
          離子蝕刻 IBE

          其他產品
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