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        1. 射頻離子源 RFICP 220
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          射頻離子源 RFICP 220

          KRI 射頻離子源 RFICP 220
          上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.

          KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

          型號

          RFICP 220

          Discharge 陽極

          RF 射頻

          離子束流

          >800 mA

          離子動能

          100-1200 V

          柵極直徑

          20 cm Φ

          離子束

          聚焦, 平行, 散射

          流量

          10-40 sccm

          通氣

          Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

          典型壓力

          < 0.5m Torr

          長度

          30 cm

          直徑

          41 cm

          中和器

          LFN 2000


          KRI 射頻離子源 RFICP 220 應用領域:
          預清洗
          表面改性
          輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
          濺鍍和蒸發鍍膜 PC
          離子濺射沉積和多層結構 IBSD
          離子蝕刻 IBE

          若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
          上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
          T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
          F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
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