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        1. 射頻離子源 RFICP 140
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          射頻離子源 RFICP 140

          KRI 射頻離子源 RFICP 140
          上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中,射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 范圍內獲得很高的離子密度. 可以輸出最大 600 mA 離子流

          KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數:

          型號

          RFICP 140

          Discharge 陽極

          RF 射頻

          離子束流

          最大 600 mA

          離子動能

          100-1200 V

          柵極直徑

          14 cm Φ

          離子束

          聚焦, 平行, 散射

          流量

          5-30 sccm

          通氣

          Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

          典型壓力

          < 0.5m Torr

          長度

          24.6 cm

          直徑

          24.6 cm

          中和器

          LFN 2000

          KRI 射頻離子源 RFICP 140 應用領域:
          預清洗
          表面改性
          輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
          濺鍍和蒸發鍍膜 PC
          離子濺射沉積和多層結構 IBSD
          離子蝕刻 IBE

          1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

          若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
          上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
          T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
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