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        1. KRI 霍爾離子源 eH 2000
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          KRI 霍爾離子源 eH 2000

          KRI 霍爾離子源 eH 2000
          上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統. 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
          尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
          放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
          操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

          KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
          水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
          可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
          寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
          多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便
          高效的等離子轉換和穩定的功率控制

          KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術參數

          型號

          eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

          供電

          DC magnetic confinement

            - 電壓

          40-300V VDC

            - 離子源直徑

          ~ 5 cm

            - 陽極結構

          模塊化

          電源控制

          eHx-30010A

          配置

          -

            - 陰極中和器

          Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

            - 離子束發散角度

          > 45° (hwhm)

            - 陽極

          標準或 Grooved

            - 水冷

          前板水冷

            - 底座

          移動或快接法蘭

            - 高度

          4.0'

            - 直徑

          5.7'

            - 加工材料

          金屬
          電介質
          半導體

            - 工藝氣體

          Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

            - 安裝距離

          16-45”

            - 自動控制

          控制4種氣體

          * 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

          KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域
          •  離子輔助鍍膜 IAD
          •  預清洗 Load lock preclean
          •  預清洗 In-situ preclean
          •  Direct Deposition
          •  Surface Modification
          •  Low-energy etching
          •  III-V Semiconductors
          •  Polymer Substrates

          1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

           

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